Περιγραφή του στόχου 4N HfO2 με Cu Backplate
Ο στόχος διασκορπισμού 4N HfO2 με χάλκινη πλάκα στήριξης είναι ένα κρίσιμο υλικό-υψηλής απόδοσης για την εναπόθεση λεπτών-μεμβρανών, το οποίο χρησιμοποιείται ευρέως σε πεδία όπως η οπτική, οι ημιαγωγοί και η μικροηλεκτρονική. Αποτελείται κυρίως από ένα σώμα-στόχο διοξειδίου του αφνίου (HfO2)-με καθαρότητα 99,99%-που συνδέεται μέσω μιας εξειδικευμένης διαδικασίας σε μια πλάκα υποστήριξης χαλκού υψηλής-καθαρότητας. Αυτός ο στόχος 4N HfO2 αντιπροσωπεύει ένα υλικό επίστρωσης υψηλού{12}}που χαρακτηρίζεται από το προηγμένο επίπεδο τεχνολογικής ενσωμάτωσής του. Συνδυάζοντας εξαιρετικά-υψηλής-καθαρότητας κεραμικό διοξειδίου του αφνίου-που χρησιμεύει ως λειτουργικό υλικό-με χαλκό υψηλής-καθαρότητας-που λειτουργεί ως δομικό στήριγμα-ανταποκρίνεται με επιτυχία στις αυστηρές επιδόσεις, την καθαρότητα και τις σύγχρονες απαιτήσεις των αυστηρών διαδικασιών αξιοπιστία των πηγών ψεκασμού. Επιπλέον, οι προσαρμόσιμες προδιαγραφές του ενισχύουν την προσαρμοστικότητά του σε διάφορα σενάρια εφαρμογών και πλατφόρμες εξοπλισμού, καθιερώνοντάς το ως θεμελιώδες υλικό απαραίτητο για την προώθηση της τεχνολογικής προόδου σε βιομηχανίες όπως η οπτική και οι ημιαγωγοί.
Εφαρμογές 4Ν HfO2 Target με Cu Backplate
Οπτικές επιστρώσεις: Χρησιμοποιούνται για την κατασκευή-οπτικών συσκευών υψηλής απόδοσης, συμπεριλαμβανομένων των αντι-αντιανακλαστικών επιστρώσεων, των διηλεκτρικών στρωμάτων υψηλού-διαθλήματος-δείκτη, των οπτικών φίλτρων, των επικαλύψεων εξαρτημάτων λέιζερ και των προστατευτικών μεμβρανών που αντέχουν στη φθορά-λέιζερ.
Ημιαγωγοί και μικροηλεκτρονική: Χρησιμεύει ως διηλεκτρικό υλικό υψηλής{0}}διηλεκτρικής-σταθερής πύλης για προηγμένες συσκευές ημιαγωγών. χρησιμοποιείται επίσης για την εναπόθεση λειτουργικών λεπτών υμενίων σε μικρο-Ηλεκτρο-Μηχανικά Συστήματα (MEMS) και άλλα ηλεκτρονικά εξαρτήματα.
Άλλα πεδία υψηλών-τελικών: Βρίσκει επίσης σημαντικές εφαρμογές σε επικοινωνίες οπτικών ινών, συσκευές ενέργειας και πειράματα επιστημονικής έρευνας.
Προδιαγραφές 4Ν HfO2 Target with Cu Backplate
Σύνθεση: HfO2
Καθαρότητα: Μεγαλύτερη ή ίση με 99,9%
Σχήμα: Δίσκοι ή-κατασκευασμένοι κατά παραγγελία
Διάμετρος: 2", 3", 4", 5", 6" ή προσαρμοσμένη
Πάχος: 0,25", 0,125" ή προσαρμοσμένο
Τύπος ομολόγου: In
Ποιοτικός έλεγχος και δοκιμή στόχου 4N HfO2 με Cu Backplate

Συχνές ερωτήσεις για στόχο 4N HfO2 με Cu Backplate
Είσαι α εργοστάσιο ή aκατασκευαστής;
Α: Ναι, είμαστε στόχος 4N HfO2 με εργοστάσιο Cu Backplate, αλλά γενικά χρησιμοποιούμε την εμπορική μας εταιρεία για να χειριστούμε την επιχείρηση στο εξωτερικό. Θα είναι πιο βολικό να λάβετε το έμβασμα και να κανονίσετε την αποστολή.
Ποια είναι η μέθοδος παράδοσης;
Α: Γενικά, στέλνουμε στόχο 4N HfO2 με Backplate Cu από UPS, DHL ή FedEx. Επίσης, μπορούμε να στείλουμε δια θαλάσσης σε λιμάνι ή αεροπορικώς στο πλησιέστερο αεροδρόμιο.
Γιατί το 4N HfO2 Target with Cu Backplate είναι τόσο οικονομικό-;
Α: Αποκόπτουμε τους μεσάζοντες στο τέλος-για να-τερματίσουμε τη διαδικασία παραγωγής και λαμβάνουμε την πρώτη ύλη απευθείας από την πηγή της.
Κάνετε επιτόπιο ποιοτικό έλεγχοπροϊόντα?
Α: 100% πλήρης επιθεώρηση σίγουρα. Όλοι οι ακατάλληλοι στόχοι 4N HfO2 με Backplate Cu απορρίπτονται.
Πώς διασφαλίζετε τον χρόνο παράδοσης;
Α: Από την προετοιμασία του υλικού στη μηχανική κατεργασία και τέλος στην πλήρη επιθεώρηση. Κάθε στάδιο της παραγωγής παρακολουθείται αυστηρά και ελέγχεται για να σας δώσει έναν ακριβή χρόνο παράδοσης.
Ποιο είναι το MOQ του 4N HfO2 Target με Cu Backplate;
A: Εξαρτάται από την ποσότητα του στόχου 4N HfO2 με Cu Backplate. γενικά, δεν υπάρχει όριο MOQ.
Πώς να πληρώσετετα προϊόντα?
Α: Θα είναι αποδεκτή τραπεζική μεταφορά (T/T).
Ποιος είναι ο χρόνος παράδοσης;
Α: Περίπου 7-20 ημέρες, που εξαρτάται από την ποσότητα και την παραγωγή του στόχου 4N HfO2 με Cu Backplate.
Τι είδους πακέτο είναι;
Α: Γενικά, χρησιμοποιούμε θήκη από χαρτόνι ή θήκη από κόντρα πλακέ με προστατευτικό υλικό στο εσωτερικό για να διασφαλίσουμε την ασφάλεια του στόχου 4N HfO2 με πλάκα Cu Backplate.
Ποιος είναι ο χρόνος παράδοσης;
Α: Από την παραγγελία μέχρι την παραλαβή του φορτίου θα χρειαστούν περίπου 10-25 ημέρες.

Δημοφιλείς Ετικέτες: Στόχος 4n hfo2 με backplate cu, Κίνα στόχος 4n hfo2 με προμηθευτές cu backplate, εργοστάσιο




