Υλικό επίστρωσης PVD
-
![4N ZrO2 Sputtering Target with Cu Backplate]()
4N ZrO2 Sputtering Target with Cu BackplateΟι στόχοι διασκορπισμού διοξειδίου του ζιρκονίου με πλάκες στήριξης κατασκευάζονται με χρήση υλικού διοξειδίου του ζιρκονίου υψηλής{{0}καθαρότητας, συνδεδεμένο με ασφάλεια σε μεταλλική πλάκα...Πιο -
![ZrC Sputtering Target with Cu Backplate]()
ZrC Sputtering Target with Cu BackplateΟι στόχοι διασκορπισμού καρβιδίου του ζιρκονίου (ZrC) με χάλκινες πλάκες στήριξης διαθέτουν ισχυρό δεσμό μεταξύ του υλικού στόχου ZrC υψηλής-καθαρότητας και της χάλκινης επένδυσης. Αυτός ο...Πιο -
![Ta 5at% Doped ZrC Sputtering Target]()
Ta 5at% Doped ZrC Sputtering TargetΤο ακριβές ντόπινγκ του καρβιδίου του ζιρκονίου με αναλογία 5 ατομικού τοις εκατό τανταλίου ενισχύει σημαντικά την αντίσταση του υλικού-στόχου σε υψηλές{{1}θερμοκρασίες, αντοχή σε θερμικό σοκ και...Πιο -
![4N IGZO Sputtering Target]()
4N IGZO Sputtering TargetΟι στόχοι μας sputtering 4N IGZO προσφέρουν πιο σταθερή και αποτελεσματική απόδοση κατάδυσης. Εξειδικευμένες για εφαρμογές προβολής και ημιαγωγών υψηλού επιπέδου, διευκολύνουν την επίτευξη...Πιο -
![Στόχος 4N HfO2 με Cu Backplate]()
Στόχος 4N HfO2 με Cu BackplateΤο 4N HfO2 Sputtering Target with Copper Backing χρησιμοποιεί υλικό οξειδίου του αφνίου 99,99% καθαρότητας. Ενσωματωμένο με χάλκινο υπόστρωμα, προσφέρει εξαιρετική θερμική αγωγιμότητα και είναι...Πιο -
![4Ν HfO2 Ντοπαρισμένο με 2% Ti Target]()
4Ν HfO2 Ντοπαρισμένο με 2% Ti TargetΟ στόχος διασκορπισμού με πρόσμειξη 2% Ti-HfO2 κατασκευάζεται χρησιμοποιώντας ένα υπόστρωμα οξειδίου του αφνίου υψηλής-καθαρότητας, επακριβώς εμποτισμένο με 2% τιτάνιο. Χαρακτηρίζεται από την...Πιο -
![4N HfO2 Sputtering Target]()
4N HfO2 Sputtering TargetΣτόχος 4Ν υψηλής καθαρότητας διοξειδίου του αφνίου (99,99% καθαρότητα)—κατάλληλος για εφαρμογές σε οπτικές επιστρώσεις, ημιαγωγούς και ηλεκτρονικά ακριβείας. Διαθέτει υψηλή πυκνότητα, ομοιόμορφη...Πιο -
![Προσαρμόσιμος στόχος διασκορπισμού άνθρακα 4Ν]()
Προσαρμόσιμος στόχος διασκορπισμού άνθρακα 4ΝΟι στόχοι διασκορπισμού άνθρακα 4Ν υψηλής-καθαρότητας κατασκευάζονται από υλικό 99,99% καθαρού άνθρακα, με χαμηλά επίπεδα ακαθαρσίας και καθιστώντας τους ιδανικούς για εφαρμογές σε ημιαγωγούς,...Πιο -
![B4C Sputtering Target]()
B4C Sputtering TargetΧρησιμοποιώντας πρώτες ύλες καρβιδίου του βορίου υψηλής-καθαρότητας, αυτό το προϊόν διαθέτει εξαιρετική σκληρότητα και στιβαρή θερμική σταθερότητα, καθιστώντας το ιδανικό για εφαρμογές στην...Πιο -
![Προσαρμοσμένοι στόχοι βοριού]()
Προσαρμοσμένοι στόχοι βοριούΠαρέχουμε υψηλής-καθαρότητας, πυκνούς στόχους βορίου, απόλυτα κατάλληλους για διαδικασίες ημιαγωγών και επίστρωσης. Υποστηρίζουμε την προσαρμοσμένη κατασκευή που βασίζεται σε τεχνικά σχέδια,...Πιο -
![Προσαρμοσμένος 3N5 Στρογγυλός στόχος βολφραμίου]()
Προσαρμοσμένος 3N5 Στρογγυλός στόχος βολφραμίουΠροσφέρουμε προσαρμοσμένους-κυκλικούς στόχους βολφραμίου με καθαρότητα 3N5 (99,95%). Κατασκευασμένα με χρήση μεταλλουργίας σκόνης, διαθέτουν ομοιόμορφη μικροδομή, υψηλή πυκνότητα και είναι...Πιο -
![Προσαρμοσμένος στόχος υψηλής καθαρότητας Hf Sputtering]()
Προσαρμοσμένος στόχος υψηλής καθαρότητας Hf SputteringΠροσφέρουμε ειδικά κατασκευασμένους-υψηλούς-στόχους εκτόξευσης αφνίου με καθαρότητα που υπερβαίνει το 99,9%, με ομοιόμορφη πυκνότητα και λεπτή μικροδομή. Ειδικά σχεδιασμένα για τσιπ ημιαγωγών,...Πιο
Είμαστε επαγγελματίες προμηθευτές υλικών επίστρωσης pvd στην Κίνα, ειδικευμένοι στην παροχή υψηλής ποιότητας προσαρμοσμένων υπηρεσιών. Σας καλωσορίζουμε θερμά για να αγοράσετε υλικό επίστρωσης pvd με έκπτωση σε απόθεμα εδώ και να λάβετε δωρεάν δείγμα από το εργοστάσιό μας. Για διαβούλευση τιμών, επικοινωνήστε μαζί μας.