4N HfO2 Sputtering Target
4N HfO2 Sputtering Target

4N HfO2 Sputtering Target

Στόχος 4Ν υψηλής καθαρότητας διοξειδίου του αφνίου (99,99% καθαρότητα)—κατάλληλος για εφαρμογές σε οπτικές επιστρώσεις, ημιαγωγούς και ηλεκτρονικά ακριβείας. Διαθέτει υψηλή πυκνότητα, ομοιόμορφη σύνθεση και σταθερή απόδοση κατάδυσης.
Αποστολή ερώτησής
Περιγραφή του στόχου 4N HfO2 Sputtering

 

Το υλικό στόχου διοξειδίου του αφνίου είναι ένα λειτουργικό υλικό που αποτελείται από διοξείδιο του αφνίου υψηλής{{0}καθαρότητας (HfO2), που χρησιμοποιείται κυρίως σε διεργασίες εναπόθεσης λεπτών-μεμβρανών όπως η φυσική εναπόθεση ατμών (PVD) και η ψεκασμός με μαγνητρόνιο. Τα βασικά χαρακτηριστικά του περιλαμβάνουν υψηλό σημείο τήξης, εξαιρετική χημική σταθερότητα, ανώτερες ιδιότητες ηλεκτρικής μόνωσης και οπτική διαφάνεια σε συγκεκριμένες περιοχές μήκους κύματος. Η υψηλή καθαρότητα είναι θεμελιώδης για τη διασφάλιση της ομοιομορφίας των εναποτιθέμενων φιλμ, της οπτικής τους απόδοσης και της αξιοπιστίας της συσκευής, καθώς οι ακαθαρσίες μπορεί να οδηγήσουν σε ελαττώματα φιλμ. Η σταθερότητα της ποιότητας του υλικού στόχου σχετίζεται άμεσα με την αναπαραγωγιμότητα της διαδικασίας εναπόθεσης και την απόδοση του τελικού προϊόντος. Με τη συνεχή πρόοδο των τεχνολογιών ημιαγωγών, οπτοηλεκτρονικών και προηγμένων τεχνολογιών παραγωγής, η ζήτηση για στόχους υψηλής απόδοσης-του διοξειδίου του αφνίου αυξάνεται σταθερά, παρουσιάζοντας ευρείες προοπτικές αγοράς.

 

Εφαρμογές του 4Ν HfO2 Sputtering Target

 

Κατασκευή ημιαγωγών: Ως υλικό υψηλής-διηλεκτρικής-σταθερής (υψηλού-k), χρησιμοποιείται στην κατασκευή προηγμένων μονωτών πύλης τρανζίστορ, συμβάλλοντας στη βελτιωμένη απόδοση της συσκευής και στη σμίκρυνση.
Οπτοηλεκτρονικές συσκευές: Λόγω των εξαιρετικών οπτικών ιδιοτήτων του-όπως ο υψηλός δείκτης διάθλασης και η χαμηλή απώλεια απορρόφησης-χρησιμοποιείται ευρέως σε οπτικές επιστρώσεις για την παραγωγή αντιανακλαστικών στρωμάτων, οπτικών φίλτρων, εξαρτημάτων λέιζερ και φιλμ υψηλής οπτικής μορφής{3}}.
Εξειδικευμένα κεραμικά και επιστρώσεις: Αξιοποιώντας την υψηλή σκληρότητα και αντοχή στη φθορά, χρησιμεύει στην κατασκευή προηγμένων κεραμικών υλικών καθώς και προστατευτικών επιστρώσεων ικανών να αντέχουν σε υψηλές θερμοκρασίες και στη διάβρωση.
Έρευνα συνόρων: Σε αναδυόμενα πεδία όπως ο κβαντικός υπολογισμός, το διοξείδιο του αφνίου δείχνει δυνατότητες εφαρμογής ως διηλεκτρικό υλικό για qubits.

 

Προδιαγραφές του 4N HfO2 Sputtering Target

 

Καθαρότητα: 99,9%, 99,99%;

Μέθοδος Παραγωγής: πυροσυσσωμάτωση εν θερμώ

Διαθέσιμες διαστάσεις:

Κυκλική: Διάμετρος μικρότερη ή ίση με 14 ίντσες, Πάχος μεγαλύτερο ή ίσο με 3 mm.

Ορθογώνιο: Μήκος μικρότερο ή ίσο με 14 ίντσες, Πλάτος μικρότερο ή ίσο με 10 ίντσες, Πάχος μεγαλύτερο ή ίσο με 3 mm.

Τύπος δεσμού: ίνδιο

 

Ποιοτικός έλεγχος και δοκιμή του στόχου 4N HfO2 Sputtering

 

2QC

 

Συνήθεις Ερωτήσεις για 4N HfO2 Sputtering Target

 

Είσαι α εργοστάσιο ή aκατασκευαστής;
Α: Ναι, είμαστε ένα εργοστάσιο 4N HfO2 Sputtering Target, αλλά γενικά χρησιμοποιούμε την εμπορική μας εταιρεία για να χειριστούμε την επιχείρηση στο εξωτερικό. Θα είναι πιο βολικό να λάβετε το έμβασμα και να κανονίσετε την αποστολή.

Ποια είναι η μέθοδος παράδοσης;
Α: Γενικά, στέλνουμε 4N HfO2 Sputtering Target από UPS, DHL ή FedEx. Επίσης, μπορούμε να στείλουμε δια θαλάσσης σε λιμάνι ή αεροπορικώς στο πλησιέστερο αεροδρόμιο.

Γιατί ο στόχος 4N HfO2 Sputtering Target σας είναι τόσο οικονομικός-;
Α: Αποκόπτουμε τους μεσάζοντες στο τέλος-για να-τερματίσουμε τη διαδικασία παραγωγής και λαμβάνουμε την πρώτη ύλη απευθείας από την πηγή της.

Κάνετε επιτόπιο ποιοτικό έλεγχοπροϊόντα?
Α: 100% πλήρης επιθεώρηση σίγουρα. Όλοι οι ακατάλληλοι στόχοι 4N HfO2 Sputtering απορρίπτονται.

Πώς διασφαλίζετε τον χρόνο παράδοσης;
Α: Από την προετοιμασία του υλικού στη μηχανική κατεργασία και τέλος στην πλήρη επιθεώρηση. Κάθε στάδιο της παραγωγής παρακολουθείται αυστηρά και ελέγχεται για να σας δώσει έναν ακριβή χρόνο παράδοσης.

Ποιο είναι το MOQ του 4N HfO2 Sputtering Target;
A: Εξαρτάται από την ποσότητα του 4N HfO2 Sputtering Target. γενικά, δεν υπάρχει όριο MOQ.

Πώς να πληρώσετετα προϊόντα?
Α: Μια τραπεζική μεταφορά (T/T) θα είναι αποδεκτή.

Ποιος είναι ο χρόνος παράδοσης;
Α: Περίπου 7-20 ημέρες, που εξαρτάται από την ποσότητα και την παραγωγή του 4Ν HfO2 Sputtering Target.

Τι είδους πακέτο είναι;
Α: Γενικά, χρησιμοποιούμε μια θήκη από χαρτόνι ή μια θήκη από κόντρα πλακέ με προστατευτικό υλικό μέσα για να διασφαλίσουμε την ασφάλεια του 4Ν HfO2 Sputtering Target.

Ποιος είναι ο χρόνος παράδοσης;
Α: Από την παραγγελία μέχρι την παραλαβή του φορτίου θα χρειαστούν περίπου 10-25 ημέρες.

 

4

 

Δημοφιλείς Ετικέτες: 4n hfo2 sputtering target, China 4n hfo2 sputtering target προμηθευτές, εργοστάσιο