Περιγραφή προϊόντων
Επεξεργαζόμαστε Στόχους Ψευδάργυρου ινδίου γαλλίου (IGZO) με υψηλή ποιότητα σε ανταγωνιστική τιμή. Στόχος IGZO sputtering, του οποίου το πλήρες όνομα είναι στόχος οξειδίου του ινδίου γαλλίου, ο οποίος περιέχει τέσσερα στοιχεία: ίνδιο (In), γάλλιο (Ga), ψευδάργυρο (Zn) και οξυγόνο (O). Το IGZO είναι ένας νέος τύπος ημιαγωγού υλικού με υψηλότερη κινητικότητα ηλεκτρονίων από το άμορφο πυρίτιο (-Si). Το IGZO χρησιμοποιείται ως υλικό καναλιών σε μια νέα γενιά τρανζίστορ λεπτής μεμβράνης (TFT) υψηλής απόδοσης για τη βελτίωση της ανάλυσης του πάνελ οθόνης και για τη δημιουργία τηλεοράσεων OLED μεγάλης οθόνης.
Εφαρμογή
Οι στόχοι διασκορπισμού IGZO χρησιμοποιούνται για εναπόθεση λεπτού φιλμ, συνήθως για κυψέλες καυσίμου, διακόσμηση, ημιαγωγούς, οθόνη, συσκευές LED και φωτοβολταϊκά, επικάλυψη γυαλιού κ.λπ. Οι εφαρμογές των λεπτών μεμβρανών IGZO περιλαμβάνουν διαφανή αγώγιμα φιλμ οξειδίου, οθόνη LED, συσκευές MEMS κ.λπ. .
Χαρακτηριστικά
Οι στόχοι μας ινδίου γαλλίου ψευδαργύρου (IGZO) με διάφορα σχήματα όπως δίσκος, ορθογώνιο, στήλη, βήμα και προσαρμοσμένο σχήμα. Η τυπική διάμετρος για κυκλικούς στόχους περιλαμβάνει 1 ίντσα, 2 ίντσες, 3 ίντσες, 4 ίντσες ή 5 0mm, 60mm, 80 mm, 100 mm κ.λπ. Το τυπικό πάχος περιλαμβάνει 0,125 ίντσες και 0,25 ίντσες ή 3 mm , 4mm, 5mm, 6mm κ.λπ.
Οι σκεπτικοί στόχοι μας μπορούν να συνδεθούν με χάλκινη πλάκα στήριξης ως αίτημα. Διαφορετική καθαρότητα, σχήμα και μέγεθος μπορούν επίσης να κατασκευαστούν κατά παραγγελία για Στόχους Διασκορπισμού Indium Gallium Zinc Oxide (IGZO). Μπορείτε να μας στείλετε το ερώτημά σας για προσφορά.
Από την επιλογή των πρώτων υλών μέχρι τον έλεγχο της θερμοκρασίας, της πίεσης και του χρόνου πυροσυσσωμάτωσης με θερμή πίεση, ακολουθούμε αυστηρά τη συγκεκριμένη διαδικασία παραγωγής, έτσι οι έτοιμοι κεραμικοί στόχοι εκτόξευσης έχουν τα χαρακτηριστικά υψηλής καθαρότητας, υψηλής πυκνότητας, ομοιόμορφου χρώματος επιφάνειας χωρίς κηλίδες και ρωγμή, ο τελικός χρήστης μπορεί να αποκτήσει σταθερούς ρυθμούς διάβρωσης και υψηλά καθαρά και ομοιογενή λεπτά φιλμ κατά τη διαδικασία PVD.
Στόχος διασκορπισμού ινδίου γαλλίου οξειδίου ψευδαργύρου
Καθαρότητα: 99,99%;
Μέθοδος παραγωγής: πυροσυσσωμάτωση εν θερμώ
Διαθέσιμες διαστάσεις:
Κυκλική: Διάμετρος=1", 2", 3" και 4", άλλο μέγεθος μπορεί να προσαρμοστεί
Ορθογώνιο: Μήκος=3mm και 6mm
Δημοφιλείς Ετικέτες: ινδίου γαλλίου οξείδιο ψευδαργύρου (igzo) στόχος sputtering, Κίνα ινδίου γαλλίου οξείδιο ψευδαργύρου (igzo) sputtering στόχος, εργοστάσιο
