Αλουμίνιο Νεοδύμιο (AlNd) Sputtering Target
Αλουμίνιο Νεοδύμιο (AlNd) Sputtering Target

Αλουμίνιο Νεοδύμιο (AlNd) Sputtering Target

Το κράμα νεοδυμίου αλουμινίου είναι ένας ευρέως χρησιμοποιούμενος στόχος διασκορπισμού μαγνητρονίων. Το αλουμίνιο έχει σημείο τήξης 660 μοίρες, πυκνότητα 2,7 και θερμική αγωγιμότητα 0,53, ενώ το νεοδύμιο έχει σημείο τήξης 1024 μοίρες, πυκνότητα 7,0, και θερμική αγωγιμότητα 0,031.
Αποστολή ερώτησής
Περιγραφή προϊόντων

 

Το κράμα νεοδυμίου αλουμινίου είναι ένας ευρέως χρησιμοποιούμενος στόχος διασκορπισμού μαγνητρονίων. Το αλουμίνιο έχει σημείο τήξης 660 μοίρες, πυκνότητα 2,7 και θερμική αγωγιμότητα 0,53, ενώ το νεοδύμιο έχει σημείο τήξης 1024 μοίρες, πυκνότητα 7,0, και θερμική αγωγιμότητα 0,031. Λόγω των μεγάλων διαφορών τους στο σημείο τήξης, την πυκνότητα και τη θερμική αγωγιμότητα, εάν το παραγάγει υιοθετήσει άμεσα τη μέθοδο τήξης υπό κενό, δημιουργεί εύκολα διαχωρισμό και πιτσιλιές στη διαδικασία τήξης, προκαλώντας ρύπανση, με αποτέλεσμα ανομοιόμορφη δομή κράματος και υψηλή περιεκτικότητα σε ακαθαρσίες, η οποία επηρεάζει σοβαρά την ποιότητα του κράματος.

 

Προσδιορισμός

 

Ονομα

Στόχος κράματος AlNd

Υλικό

Κράμα νεοδυμίου αλουμινίου

Καθαρότητα

>4N >99.99%

Μέγεθος

Προσαρμοσμένο

Χρώμα

Ασήμι

Σχήμα

Προσαρμοσμένο

Επιφάνεια

Γυαλισμένη επιφάνεια;Ra Μικρότερο ή ίσο με 1,6μm

Πυκνότητα

≈2,72 g/cm³ (με βάση την αναλογία νεοδυμίου προς αλουμίνιο)

Εφαρμογή

Χρησιμοποιείται για οθόνες υγρών κρυστάλλων, πάνελ αφής, επίστρωση φιλμ PVD, επίστρωση κενού κ.λπ.

 

Σύνθεση

 

AlNd 97/3wt% Sputtering Target

AlNd 99.4/0.6wt% Sputtering Target

 

Δημοφιλείς Ετικέτες: αλουμίνιο νεοδυμίου (alnd) sputtering στόχος, Κίνα προμηθευτές στόχων sputtering νεοδυμίου (alnd) αλουμινίου, εργοστάσιο